Article: substrats en céramique aln
Matériel: ALN
Taille: 120 mm x 120 mm, épaisseur supérieure ou égale à 0,1 mm
Forme: carré et personnalisé
Processus: pressage à sec ou casting du...
Substrat de nitrure d'aluminium
Le nitrure d'aluminium (ALN) est un matériau en céramique avancé prisé pour ses propriétés de conductivité thermique et d'isolation électrique exceptionnelles . avec des caractéristiques de performance entre l'alumine et Beryllia, l'ALN est devenu un matériau critique pour l'électronique haute puissance et les applications de gestion thermique exigeantes .
Propriétés clés des substrats de nitrure d'aluminium
| Propriété | Valeur / note | Importance |
|---|---|---|
| Conductivité thermique | 170-220 W/m·K | Supérieur à l'alumine (20-30 w / m · k) |
| Résistivité électrique | >10¹⁴ ω · cm | Excellent isolant |
| Coefficient de dilatation thermique | 4,5 ppm / degré | Correspond au silicium (4,2 ppm / degré) |
| Résistance diélectrique | 15-20 kv / mm | Résistance à haute tension |
| Résistance à la flexion | 300-400 MPA | Bonne durabilité mécanique |
| Température de service maximale | >1, 000 degré | Stabilité à haute température |
Avantages clés de l'ALN
✓ Gestion thermique supérieure (5-10 x mieux que l'alumine)
✓ Perfect CTE Match pour les semi-conducteurs en silicium / sic
✓ Performances fiables à haute puissance dans des environnements difficiles
✓ Alternative pour l'environnement à Beryllia (BEO)
✓ Excellentes caractéristiques de haute fréquence pour les applications RF
Applications de substrats en aluminium (ALN)
| Secteur de l'industrie | Applications clés | Exemples spécifiques |
|---|---|---|
| Électronique et dispositifs d'alimentation | Emballage électronique d'alimentation Substrats LED Composants RF / micro-ondes Gestion thermique laser |
IGBTS, MOSFETS LED haute puissance / UV Composants 5G Dissipateurs de chaleur à la diode |
| Automobile et aérospatiale | Systèmes de véhicules électriques Télécommunications Applications spatiales |
Modules d'alimentation Stations de base 5G Systèmes de communication satellite |
| Industriel et énergie | Fabrication de semi-conducteurs Technologie des capteurs Systèmes énergétiques |
Équipement de transformation des plaquettes Capteurs de haut niveau Systèmes d'énergie solaire / éolienne |
Processus de fabrication des substrats ALN
| Étape du processus | Méthodes et paramètres | Détails techniques |
|---|---|---|
| 1. Synthèse en poudre | Nitridation directe Réduction de carbotherme |
Al + n₂ @ 800-1200 degré Al₂o₃ + c + n₂ → 2Aln + 3 co |
| 2. Méthodes de formation | Coulée de bande Pressant à sec Pressage isostatique |
0.25-1 mm épaisseur Formes simples Géométries complexes |
| 3. frittage | Plage de température Aides à frittage Atmosphère |
1700-1900 degré Y₂o₃ / cao (3-5%) N₂ / réduction du gaz |
| 4. post-traitement | Usinage laser Traitement de surface Finition |
Coupure de précision Métallisation Ti / Pd / Au RA <0,1 μm de polissage |
Propriétés comparatives des substrats en céramique
| Matériel | Conductivité thermique (w / m · k) | CTE (ppm / degré) | Facteur de coût | Avantage clé |
|---|---|---|---|---|
| Aln | 170-220 | 4.5 | Haut | Meilleures performances thermiques non toxiques |
| Al₂o₃ | 20-30 | 8.0 | Faible | Norme rentable |
| Beo | 250-300 | 7.5 | Très haut | Conductivité la plus élevée (toxique) |
| Si₃n₄ | 20-30 | 3.2 | Moyen | Meilleure résistance mécanique |
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